9月25日，第四屆GMIF2025創新峰會在深圳灣萬麗酒店盛大召開。本屆峰會圍繞“AI應用，創新賦能”主題，聚焦存算技術趨勢、AI應用落地與產業鏈協同三大方向，匯聚全球存儲與AI產業精英，共探AI時代下存儲技術的演進與生態共建。

作為存儲領域的重要參與者，鎧俠在峰會上展出了基于BiCS FLASH™技術的全場景產品，其中包括245.76TB超大容量企業級SSD。峰會期間，鎧俠就當前核心戰略、新一代存儲技術、產品線布局及未來技術研發等關鍵問題接受了集微網專訪。

核心戰略：以技術、規模與合作驅動增長，兼顧盈利與財務健康

在經歷一段時期的行業波動和財務重組后，鎧俠的核心戰略備受關注。對此，鎧俠表示，當前AI應用普及正推動閃存市場需求不斷擴大，鎧俠將持續以技術實力、生產規模以及與客戶或供應鏈的合作伙伴關系作為增長引擎，提供支持數據運用技術創新的存儲技術和全新解決方案，在信息基礎設施中發揮核心作用。

技術方面，鎧俠BiCS Flash始終保持領先地位，BiCS 8 TLC和QLC在業內廣受好評，為AI專用SSD等產品賦予更強競爭力，可滿足“高性能”“大容量”“低功耗”等多樣化存儲需求，而更為先進的BiCS 9和BiCS 10產品也已蓄勢待發。

財務與投資層面，鎧俠將依照規定進行設備投資和戰略性資源分配，穩步提升盈利能力。具體而言，會將設備投資控制在銷售額的20％以下，并根據市場動向合理配置資源，同時全力改善財務狀況，實現健康穩健發展。

新一代BiCS FLASH技術：雙軌并行，性能與容量雙突破

今年2月，鎧俠與閃迪聯合發布下一代3D閃存技術，7月又宣布采用第9代BiCS FLASH 3D閃存技術的512Gb TLC產品啟動樣品出貨，并計劃于2026年量產。

談及這兩款產品的技術優勢與應用領域，以及第9代產品快速跟進和量產的意義，鎧俠介紹，BiCS 9沿用BiCS 8先進的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術，將現有存儲單元技術與最新CMOS邏輯電路結合，在兼顧投資成本的同時實現更高性能；BiCS 10同樣運用先進CBA技術，通過增加存儲單元堆疊層數，進一步提升容量與性能。

從產品定位來看，BiCS 9針對低容量和中容量產品設計，以追求高效能為目標，適用于企業級SSD等產品，能最大限度提升AI系統中GPU調用數據的效率。此前送樣的BiCS 9 512Gb產品，采用120層堆疊存儲單元，結合CBA技術，不僅性能出色，還能在現有生產設備上實現良好投資效率。

該512Gb TLC產品基于第五代BiCS FLASH技術的120層堆疊工藝與先進CMOS技術開發，相較鎧俠現有同容量BiCS FLASH產品，性能實現顯著提升：寫入性能提升61%、讀取性能提升12%；能效方面，寫入操作能效提升36%，讀取操作能效提升27%；數據傳輸上，支持Toggle DDR6.0接口，NAND接口傳輸速率高達3.6Gb/s，演示條件下更是可達4.8Gb/s；同時，借助先進橫向縮放，位密度進一步提升8%。

而BiCS 10則聚焦未來市場對更大容量、更高性能解決方案的需求。為應對尖端應用市場多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產品，鎧俠將推行“雙軌并行”策略：一方面，以第九代BiCS FLASH產品通過技術融合降本提效；另一方面，以第十代BiCS FLASH產品通過增加堆疊層數突破容量與性能上限。

第九代產品的快速推進，對鎧俠意義重大。它不僅能為中低容量存儲市場提供卓越性能與能效的解決方案，還將集成到企業級固態硬盤中，尤其適配需要提升AI系統GPU性能的應用，助力鎧俠在AI存儲領域搶占先機。

產品線布局：全面覆蓋多領域，深耕中國市場，強化AI存儲解決方案

鎧俠擁有從消費級到企業級的廣泛產品線，關于未來資源分配方向及中國市場戰略地位，鎧俠明確表示，將繼續加強全產品線布局，同時深耕中國市場，重點發力AI相關存儲領域。

當前，AI推理系統對高性能、大容量SSD需求迫切，與此同時，智能手機和AI PC的存儲容量需求也在迅猛增長。基于這一市場趨勢，鎧俠將持續推進智能手機存儲、消費端SSD以及企業級與數據中心級SSD的研發，不會偏廢任一領域。

針對AI系統，鎧俠已加強SSD產品研發，推出助力GPU性能發揮的CM9系列，以及適用于大規模數據中心、容量高達245.76TB的LC9系列。此外，還專為AI研發全新大容量、高帶寬閃存模塊，該模塊擁有5TB容量和64GB/s帶寬，未來將為GPU的AI加速提供更多存儲解決方案。

在市場戰略中，中國市場占據重要地位。作為全球重要的消費電子與AI產業市場，中國在智能手機、AI PC、數據中心等領域的需求旺盛，鎧俠將持續關注中國市場動態，通過豐富的產品與技術方案，滿足中國市場多樣化需求，深化與中國客戶及合作伙伴的合作，共同推動AI時代存儲產業發展。

未來技術研發：多維度升級3D閃存，探索下一代存儲技術

隨著3D NAND微縮逐漸面臨物理和經濟學極限，PLC、鐵電存儲器（FeFET）等下一代技術的發展潛力與挑戰成為行業焦點。鎧俠透露，公司采取多項技術并行升級的策略，既致力于優化現有3D閃存技術，也在積極探索下一代存儲技術。

在現有3D閃存產品開發上，鎧俠主要從四個維度實現突破：一是提升存儲單元堆疊層數，進一步增加容量；二是研發更密集的橫向微縮技術，提高存儲密度；三是應用更高效的CBA技術，平衡成本與性能；四是推進每個存儲單元存儲信息的多值化技術，提升單位面積存儲效率，通過這四大維度，打造大容量、具有成本競爭力的3D閃存產品。

與此同時，針對未來計算和未來存儲需求，鎧俠也在積極研發全新理念的半導體存儲器，例如基于氧化物半導體的DRAM（OCTRAM）和MRAM等，目前相關研發工作正在有序推進中，未來有望為存儲行業帶來新的技術變革。