11月27日，TrendForce集邦咨詢及旗下“全球半導體觀察”在深圳舉辦“MTS2026存儲產業趨勢研討會”及“2026十大科技市場趨勢預測發布暨TechFuture Awards頒獎典禮”。會議匯聚全球半導體存儲與終端應用產業鏈逾千名嘉賓，線上觀眾超萬人，重點圍繞AI驅動下的供需重構與技術走向展開討論。

集邦咨詢顧問（深圳）有限公司董事長董昀昶在開場致辭中指出，雖然AI使存儲市場價格波動劇烈，但AI并非泡沫，需求真實存在，且已改變高科技制造供應鏈供給順序。

在上游制造環節，晶圓代工率先感受到“新周期”的壓力。集邦咨詢資深研究副總經理郭祚榮介紹，TrendForce預估2026年晶圓代工產業營收將年增19%，其中與AI相關的先進工藝市場年增28%，遠高于整體。臺積電今年下半年已導入2nm工藝生產，后續規劃A16、A10并持續向1nm推進；先進封裝方面，2025年產能年增率預計達到27%，CoWoS持續擴張，CoPoS、CoWoP處于蓄勢階段。

在芯片需求結構上，英偉達依舊是AI領域主力廠商，但2026年被視為ASIC芯片起飛的關鍵節點。美國四大云端業者相繼推出自研AI芯片，國內市場則由華為與寒武紀持續推陳出新，并與本土大語言模型結合。最先進工藝不再只服務于少數通用GPU，而是在GPU與大規模定制ASIC之間重新分配，代工廠與云服務商之間的博弈焦點隨之轉向“誰能拿到更多高端產能”。

內存市場則最直接體現出“新周期”的緊繃程度。集邦咨詢資深研究副總經理吳雅婷指出，AI服務器與通用服務器正共同驅動新一輪存儲器超級周期。TrendForce預估，到2026年，與AI及服務器相關應用將占DRAM總產能的66%，云端服務供貨商積極簽訂長約鎖定服務器DRAM供給。三大DRAM廠商提高資本支出并規劃新廠，但新增產能優先供應HBM，帶來明顯的產能排擠效應：AI服務器（如NVIDIA GB300）對LPDDR5X需求激增，開始嚴重壓縮智能手機LPDRAM供給，服務器模組同樣被HBM擠壓，價格自2025年第四季度起明顯上揚。

TrendForce分析認為，DRAM將面臨比NAND更嚴峻的缺貨，市場上將出現圍繞有限產能的競價；在ASP持續上漲帶動下，2026年DRAM平均售價預計年增36%，營收預計飆升56%，但受無塵室空間與設備交付周期限制，位元產出增幅有限，“量不及價”的特征將進一步放大。

在閃存與終端存儲方面，集邦咨詢研究經理羅智文指出，AI大模型參數規模暴增，帶來新的存儲瓶頸。HBM速度極快，但容量有限、成本高昂，在HBM（極快、極貴）與傳統SSD（慢、便宜）之間形成效能斷層；同時，HDD市場因供應鏈限制交期長達52周，2026年預計將出現150EB缺口，需求被迫轉向高密度QLC eSSD，導致整體供不應求。在此背景下，NAND Flash開始從“被動存儲”轉向“輔助運算核心”：一方面，高帶寬閃存HBF被定位為HBM的低成本補充，為GPU提供TB級“溫區倉庫”，緩解模型容量瓶頸；另一方面，AI SSD在控制器內整合NPU，在本地執行如RAG Top-K等近數據處理，扮演GPU的“智能前哨”，緩解數據管線壓力，讓GPU專注核心計算。TrendForce判斷，在供應偏緊格局與新產品形態共同作用下，2026年NAND產業有望迎來景氣與價值重估。